Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 500 nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4

Để download Câu trắc nghiệm này dạng file WORDS (.doc) các bạn click vào nút TẢI VỀ bên trên.

Câu hỏi

🗣️ Lê Văn Phú hỏi: Cho mình hỏi một câu Trắc nghiệm ôn thi THPT trong sách bài tập

Trong thí nghiệm giao thoa Y-âng, nguồn S phát bức xạ có bước sóng 500 nm, khoảng cách giữa hai khe 1,5 mm, màn quan sát E cách mặt phẳng hai khe 2,4 m. Dịch chuyển một mối hàn của cặp nhiệt điện trên màn E theo đường vuông góc với hai khe, thì cứ sau một khoảng bằng bao nhiêu kim điện kế lại lệch nhiều nhất?

(A)  0,8 mm.

(B) 0,3 mm.

(C) 0,6 mm.

(D)   0,4 mm.

👩 Đánh giá của giáo viên: Câu này dễ, mức độ biết.

🔑 Chủ đề: de thi thu thpt quoc gia chuan cau truc cua bo giao duc mon vat li.

Câu trả lời hay nhất

🕵 Bạn Trần Thị Đức trả lời:

Chọn câu (A):  0,8 mm.

Khoảng vân giao thoa: Vị trí mà kim điện kế lệch nhiều nhất chính là vị trí các vân sáng giao thoa nên cứ sau một khoảng vân, kim điện kế lại lệch nhiều nhất.

Khoảng vân giao thoa:

Vị trí mà kim điện kế lệch nhiều nhất chính là vị trí các vân sáng giao thoa nên cứ sau một khoảng vân, kim điện kế lại lệch nhiều nhất.


Câu trước | Câu kế tiếp
Các câu trả lời

👤 Lê Thị Phú viết:

Chọn C, 0,6 mm.


👤 Phạm Thị Thành viết:

Chọn D,   0,4 mm.


👤 Trần Thị Lộc viết:

Chọn B, 0,3 mm.


👤 Phạm Thị Dũng viết:

Chọn A,  0,8 mm.

➥ 🗣️ Lê Văn Phú trả lời: Cảm ơn bạn, câu này hình như có trong file doc này 20 Bộ đề thi thử thpt quốc gia môn Vật Lí cực hay có lời giải


👤 Vũ Văn Huy viết:

Chọn A:  0,8 mm.

Gửi bạn các file hữu ích đi kèm câu hỏi:

Làm thêm Trắc nghiệm ôn thi THPT