Giai Nobel 2012
02:05:48 AM Ngày 07 Tháng Mười Hai, 2019 *

Chào mừng bạn đến với Diễn Đàn Vật Lý.

Bạn có thể đăng nhập hoặc đăng ký.
Hay bạn đã đăng ký nhưng cần gửi lại email kích hoạt tài khoản?
Vui lòng nhập tên Đăng nhập với password, và thời gian tự động thoát





Lưu ý: Đây là diễn đàn của Thư Viện Vật Lý. Tài khoản ở Diễn Đàn Vật Lý khác với tài khoản ở trang chủ Thuvienvatly.com. Nếu chưa có tài khoản ở diễn đàn, bạn vui lòng tạo một tài khoản (chỉ mất khoảng 1 phút!!). Cảm ơn các bạn.
Phòng chát chít
Bạn cần đăng nhập để tham gia thảo luận
Vật lý 360 Độ
Top 10 thành tựu vật lí nổi bật trong năm 2019
06/12/2019
250 Mốc Son Chói Lọi Trong Lịch Sử Vật Lí (Phần 66)
03/12/2019
250 Mốc Son Chói Lọi Trong Lịch Sử Vật Lí (Phần 65)
03/12/2019
Lỗ đen ‘đặc biệt’ cân nặng 70 khối lượng mặt trời
01/12/2019
Tương lai nhân loại - Michio Kaku (Phần 34)
01/12/2019
Tương lai nhân loại - Michio Kaku (Phần 33)
01/12/2019

follow TVVL Twitter Facebook Youtube Scirbd Rss Rss
  Trang chủ Diễn đàn Tìm kiếm Đăng nhập Đăng ký  


Quy định cần thiết


Chào mừng các bạn đến với diễn đàn Thư Viện Vật Lý
☞ THI THỬ THPT QG LẦN 8 MÔN VẬT LÝ 2019 - 21h00 NGÀY 9-6-2019 ☜

Trả lời

Bài tập về định luật Ostrogradki-gauss

Trang: 1   Xuống
  In  
Tác giả Chủ đề: Bài tập về định luật Ostrogradki-gauss  (Đọc 6481 lần)
0 Thành viên và 1 Khách đang xem chủ đề.
cao trong luan
Thành viên mới
*

Nhận xét: +0/-1
Cảm ơn
-Đã cảm ơn: 7
-Được cảm ơn: 3

Offline Offline

Bài viết: 16


Xem hồ sơ cá nhân Email
« vào lúc: 09:16:25 PM Ngày 01 Tháng Tám, 2014 »

Hai dây dài vô hạn đặt song song trong không khí cách nhau đoạn a, tích điện cùng dấu với mật độ là [tex]\lambda[/tex].
a) Xác định tại cường độ điện trường E một điểm trong mặt phẳng đối xứng giữa hai dây, cách mặt phẳng chứa dây đoạn h.
b) Tính h để E có giá trị cực đại và tính giá trị này.


* Untitled.png (27.5 KB, 1360x600 - xem 541 lần.) Xem trước


Logged


mrbap_97
Thành viên mới
*

Nhận xét: +0/-0
Cảm ơn
-Đã cảm ơn: 16
-Được cảm ơn: 16

Offline Offline

Bài viết: 41


Xem hồ sơ cá nhân Email
« Trả lời #1 vào lúc: 08:37:37 PM Ngày 02 Tháng Tám, 2014 »

Chọn mặt Gauss là hình trụ có đường sinh trùng với trục một dây, hình trụ có chiều cao l
Điện thông qua mặt Gauss:
[tex]\phi = ES=E.2\pi h.l(cos\alpha =0)[/tex]
Định lý O-G:
[tex]\phi = \frac{q}{\varepsilon _0}=\frac{\lambda l}{\varepsilon _0}[/tex]
Suy ra:
[tex]E.2\pi h.l=\frac{\lambda l}{\varepsilon _0}[/tex]
[tex]\Rightarrow E=\frac{\lambda}{2\varepsilon _0 \pi h}[/tex]
Bây h ta tính góc tạo bởi hai véc tơ cường độ điện trường tạo bởi hai dây dẫn:
[tex]\cos \alpha =\frac{\sqrt{4h^2-a^2}}{2h}[/tex]

Cường độ điện trường tổng hợp:
[tex]E_o=2E \cos \alpha }=2E\frac{\sqrt{4h^2-a^2}}{2h} [/tex]
Cường độ điện trường phụ thuộc vào h.
Tìm giá trị lớn nhất có thể dùng đạo hàm hoặc cô si.
« Sửa lần cuối: 08:42:32 PM Ngày 02 Tháng Tám, 2014 gửi bởi mrbap_97 »

Logged
ndakostan
Thành viên mới
*

Nhận xét: +0/-0
Cảm ơn
-Đã cảm ơn: 2
-Được cảm ơn: 2

Offline Offline

Bài viết: 4


Xem hồ sơ cá nhân Email
« Trả lời #2 vào lúc: 02:36:43 PM Ngày 07 Tháng Tám, 2014 »

Chọn mặt Gauss là hình trụ có đường sinh trùng với trục một dây, hình trụ có chiều cao l
Điện thông qua mặt Gauss:
[tex]\phi = ES=E.2\pi h.l(cos\alpha =0)[/tex]
Định lý O-G:
[tex]\phi = \frac{q}{\varepsilon _0}=\frac{\lambda l}{\varepsilon _0}[/tex]
Suy ra:
[tex]E.2\pi h.l=\frac{\lambda l}{\varepsilon _0}[/tex]
[tex]\Rightarrow E=\frac{\lambda}{2\varepsilon _0 \pi h}[/tex]
Bây h ta tính góc tạo bởi hai véc tơ cường độ điện trường tạo bởi hai dây dẫn:
[tex]\cos \alpha =\frac{\sqrt{4h^2-a^2}}{2h}[/tex]

Cường độ điện trường tổng hợp:
[tex]E_o=2E \cos \alpha }=2E\frac{\sqrt{4h^2-a^2}}{2h} [/tex]
Cường độ điện trường phụ thuộc vào h.
Tìm giá trị lớn nhất có thể dùng đạo hàm hoặc cô si.

h là khoảng cách đến mặt phẳng chứa hai dây dẫn, không phải là khoảng cách đến dây dẫn.


Logged
Tags:
Trang: 1   Lên
  In  
sch

Những bài viết mới nhất
Những bài viết mới nhất
 
Chuyển tới:  


Tắt bộ gõ tiếng Việt [F12] Bỏ dấu tự động [F9] TELEX VNI VIQR VIQR* kiểm tra chính tả Đặt dấu âm cuối
Powered by SMF 1.1.11 | SMF © 2006, Simple Machines LLC © 2006 - 2012 Thư Viện Vật Lý.